西門康SKM150GB12VG功率IGBT模塊 廠家直銷 量多從優(yōu)

igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由bjt（雙極型三極管）和mos（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；mosfet驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
igbt非常適合應(yīng)用于直流電壓為600v及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
igbt功率模塊采用ic驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能igbt芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊pim發(fā)展到智能功率模塊ipm、電力電子積木pebb、電力模塊ipem。pim向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800a/1800—3300v，ipm除用于變頻調(diào)速外，600a/2000v的ipm已用于電力機(jī)車vvvf逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流igbt模塊為有源器件的pebb，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。ipem采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝pebb，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代ipem，其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為igbt發(fā)展熱點(diǎn)。
大電流高電壓的igbt已模塊化，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的igbt專用驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。
igbt模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)igbt模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用igbt模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。
本公司代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件、是功率半導(dǎo)體行業(yè)知名企業(yè)之一。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開(kāi)拓精神及良好的商業(yè)信譽(yù)，在電力電子行業(yè)樹(shù)立了良好的企業(yè)品牌形象，同時(shí)硅晶與多家電力電子企業(yè)和上市公司長(zhǎng)期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系，也是眾多知名國(guó)外品牌： 英飛凌、西門康、三菱、富士，ixys、sanrex、abb、westcode等其他產(chǎn)品 的誠(chéng)信代理商和分銷商。通過(guò)多年的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，硅晶、人積累了堅(jiān)實(shí)的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識(shí)，為電力拖動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、變頻器、高頻感應(yīng)加熱、逆變電源、電力機(jī)車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供技術(shù)支持！ 代理品牌 1、infineon(英飛凌)、fuji(富士)、mitsubishi(三菱)、semikron(西門康)、全系列igbt產(chǎn)品； 2、infineon(英飛凌)、semikron(西門康)、ixys(艾克賽斯)、sanrex(三社)、westcode(西碼) ir(美國(guó)國(guó)際整流器)、vishay(威士)、全系列可控硅、整流橋、二極管模塊,西門子熔斷器、美國(guó)bussmann熔斷器,固態(tài)電器等品牌。型號(hào)全 質(zhì)量上乘，價(jià)格優(yōu)惠，歡迎咨詢！
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