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采用預(yù)鍍鉍膜法修飾鉑電*,用該電*對(duì)痕量pd,析氧電*,cd同時(shí)進(jìn)行了差分脈沖溶出伏安法測(cè)定,pd,cd在富集中和鉍形成類似于齊的合金,溶出峰良好.討論了在不同沉積液和沉積時(shí)間下得到的鉍膜電*的性能和富集時(shí)間,富集電位及底液ph對(duì)金屬離子測(cè)定的影響.在優(yōu)化的實(shí)驗(yàn)條件下,分別對(duì)10~100μg/l,20~200μg/l和50~500μg/l3個(gè)不同濃度系列的pb2 ,cd2 進(jìn)行了同時(shí)測(cè)定,pb,cd溶出峰電流與pb2 ,cd2 濃度呈良好的線性關(guān)系(r≥0.999),pb2 ,cd2 濃度的線性范圍均為10~500μg/l;富集時(shí)間為180 s時(shí),pb2 ,cd2 的檢出限分別為0.38μg/l和0.82μg/l.利用本方法測(cè)定了蔬菜中pb的含量,并與原子熒光分析法做了對(duì)比,結(jié)果令人滿意.
導(dǎo)電聚合物是一類重要的*電容器電*材料,其電容主要來(lái)自于法拉第準(zhǔn)電容.采用不同摻雜方式的導(dǎo)電性聚合物(n型或p型)作為電*材料使相應(yīng)的*電容器分為3種基本類型,這3種類型的*電容器各具有不同的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及特性.介紹了*電容器導(dǎo)電聚合物的工作原理和導(dǎo)電聚合物電*材料的研究進(jìn)展.用光電流作用譜,光電流-電勢(shì)圖和uv-vis光說(shuō)研究了tio2/聚*多孔膜電*在不含氧化還原對(duì)和含不同氧化還原體系電解質(zhì)溶液中的光電轉(zhuǎn)換過(guò)程.tio2/聚*多孔膜電*雙層n型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),內(nèi)層tio2多孔膜的禁帶寬度為3.26ev,外層聚*膜的禁帶寬度為2.2ev.
用5%(v/v)3-氨基丙基三乙氧基(prnh_2ⅱ)在石墨電*表面化以導(dǎo)入氨基(—nh_2),然后用-(3-二丙基)碳(edc)作為偶聯(lián)活化劑,將單鏈dna(ssdna)共價(jià)固定在石墨電*表面.采用顯微分光光度法,紅外光譜法和電化學(xué)方法對(duì)電*表面的ssdna層進(jìn)行了表征,并用紫外-可見(jiàn)光譜法對(duì)電*表面固定化ssdna的雜交特性進(jìn)行了研究.結(jié)果表明,ssdna可以比較均勻地固定在石墨電*表面,而且ssdna是通過(guò)5端*基以*氨基酯鍵的形式共價(jià)結(jié)合在電*表面,固定在電*表面的ssdna的雜交特性未發(fā)生變化,能夠有效地與溶液中的互補(bǔ)鏈cdna進(jìn)行雜交反應(yīng).
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