德國(guó)E+H電導(dǎo)率變送器CLM253-ID0005

德國(guó)e+h電導(dǎo)率變送器clm253-id0005
7.1 數(shù)字式電極的調(diào)試說(shuō)明
ph memosens 數(shù)字式電極中儲(chǔ)存有標(biāo)定參數(shù)。因此，此類電極的調(diào)試方法不同于標(biāo)準(zhǔn)電
極的調(diào)試方法。clm253-id0005
具體調(diào)試步驟如下：
1. 安裝變送器和安裝支架。
2. 連接變送器和電極電纜。clm253-id0005
3. 按照用戶特定要求設(shè)置變送器(參考“儀表設(shè)置”章節(jié))。cpm253-pr0005
4. 連接已完成出廠標(biāo)定的memosens 數(shù)字式電極，將電極浸入在介質(zhì)中或緩沖液中。
5. 電極中儲(chǔ)存的標(biāo)定參數(shù)自動(dòng)傳輸至變送器中。
6. 顯示測(cè)量值。通常，無(wú)需重新標(biāo)定電極，直接確認(rèn)測(cè)量值即可。
 僅在以下場(chǎng)合中才需要重新標(biāo)定電極：clm253-id0005
極高測(cè)量精度要求
電極儲(chǔ)存時(shí)間超過(guò)3 個(gè)月clm253-id0005
7. 檢查測(cè)量值是否已經(jīng)傳輸至過(guò)程控制系統(tǒng)中或信號(hào)處理單元中。
e+h分析儀變送器ccm223-ek0005 clm253-id0005
一旦ph 敏感半導(dǎo)體檢測(cè)端和參比鉛絲端間的液體薄膜破裂(例如：由于干燥儲(chǔ)存
或使用壓縮空氣頻繁清洗導(dǎo)致薄膜破裂)，立即啟動(dòng)穩(wěn)定過(guò)程。穩(wěn)定時(shí)間取決于中斷持續(xù)
時(shí)間。cpm223-mr0005
光敏感度f(wàn)mu30-aaheabghf
同所有半導(dǎo)體元件一樣，isfet 電極對(duì)光線敏感(測(cè)量值波動(dòng))。但是，直接暴露在日光下
的電極僅影響測(cè)量值。因此，標(biāo)定過(guò)程中應(yīng)避免直接日曬。日常光照不會(huì)影響測(cè)量
cps71-1bb2esa/cps71d-7bb21 e+h
cps42-0pb2ess/cps42d-7pb2b1 e+h
cps41-2bc2ess/cps41d-7bc2b1 e+h
cps11-2aa2esa/cps11-2ba2esa e+h
cps11d-7ba21/cps11d-7aa21 e+h
cps12-opa2esa/cps12d-7na21 e+h
cps72d-7pb21/cps72-0pb2esa e+h
cps91d-7bo21/cps91-1bo2esa e+h
cpf81-lh11c2/cpf81-nn11c2 e+h
cpf82-pa11a2/cpf82-pa31a2 e+h
cls12-a1d1a/cls12-a1k1a e+h
cls13-a1d1a/cls13-a1k1a e+h